工艺概述

在半导体制造的光刻工艺后,需要使用灰化炉去除晶圆表面的光刻胶。臭氧灰化是一种干法去胶技术,利用臭氧在等离子体或高温条件下产生的活性氧原子来氧化分解光刻胶。此过程中会产生含臭氧的尾气。

尾气特征

  • 臭氧尾气

    灰化过程中未反应的臭氧随尾气排出

  • 有机副产物

    光刻胶分解产生的有机副产物随尾气排出

  • 连续工作

    灰化炉通常连续运行,要求尾气处理系统稳定可靠

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