CVD 化学气相沉积

工艺概述

在 CVD 工艺中，含硅/含金属前驱体气体与臭氧在反应腔内发生化学反应，在晶圆表面沉积薄膜。未反应的臭氧随尾气排出。CVD 设备的工作模式包括连续进气（LPCVD）和脉冲进气（PECVD），对尾气破坏器的响应速度和处理能力有不同要求。

尾气特征

• 臭氧浓度

  取决于工艺类型和反应效率

• 伴生气体

  O₂、N₂、SiH₄ 残余、TEOS 残余等

• 工作模式

  连续/脉冲进气，批次间有 idle 时间